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200885IS46R16160F-6TLA2 imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS46R16160F-6TLA2

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS46R16160F-6TLA2
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    15ns
  • Tension - Alimentation
    2.3 V ~ 2.7 V
  • La technologie
    SDRAM - DDR
  • Package composant fournisseur
    66-TSOP II
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    256Mb (16M x 16)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    DRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 700ps 66-TSOP II
  • Fréquence d'horloge
    166MHz
  • Temps d'accès
    700ps
IS46R16160F-6BLA2

IS46R16160F-6BLA2

La description: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16320D-6BLA1-TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16320D-5TLA1-TR

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La description: IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16160F-6TLA2-TR

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16160F-5BLA1

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IS46R16160F-6TLA1

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS46R16320D-5BLA1

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