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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS61LPD25636A-200TQLI
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IS61LPD25636A-200TQLI

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS61LPD25636A-200TQLI
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    3.135 V ~ 3.465 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous
  • Package composant fournisseur
    100-TQFP (14x20)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    100-LQFP
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    2 (1 Year)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    9Mb (256K x 36)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 100-TQFP (14x20)
  • Fréquence d'horloge
    200MHz
  • Temps d'accès
    3.1ns
IS61LPD102418A-200B3I-TR

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 165PBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61LPD51236A-200B3I-TR

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IS61LPD102418A-200TQI

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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IS61LPD51236A-200TQLI

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La description: IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP

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IS61LPD102418A-200TQI-TR

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IS61LPD102418A-250B3

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IS61LP6436A-133TQLI

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La description: IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

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