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Accueil > Centre des produits > Circuits intégrés (ci) > Mémoire > IS61QDP2B24M18A-333M3L
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6441477IS61QDP2B24M18A-333M3L imageISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)

IS61QDP2B24M18A-333M3L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IS61QDP2B24M18A-333M3L
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IC SRAM 72M PARALLEL 165LFBGA
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Écrire le temps de cycle - Word, Page
    -
  • Tension - Alimentation
    1.71 V ~ 1.89 V
  • La technologie
    SRAM - Synchronous, QUADP
  • Package composant fournisseur
    165-LFBGA (15x17)
  • Séries
    -
  • Emballage
    Tray
  • Package / Boîte
    165-LBGA
  • Température de fonctionnement
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Type de mémoire
    Volatile
  • Taille mémoire
    72Mb (4M x 18)
  • Interface mémoire
    Parallel
  • Format de mémoire
    SRAM
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    SRAM - Synchronous, QUADP Memory IC 72Mb (4M x 18) Parallel 333MHz 8.4ns 165-LFBGA (15x17)
  • Fréquence d'horloge
    333MHz
  • Temps d'accès
    8.4ns
IS61QDP2B42M18A-400M3L

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La description: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA

Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61QDB451236A-250M3L

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61QDP2B22M36A1-333B4L

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61QDP2B44M18A-400M3L

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Fabricant: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
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IS61QDPB21M36A-333M3L

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IS61QDP2B41M36A-400M3L

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IS61QDP2B451236A-400M3L

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IS61QDB42M18C-333M3I

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IS61QDP2B22M36A-333M3L

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IS61QDP2B251236A-333M3L

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IS61QDP2B21M36A-333M3L

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IS61QDB42M36A-300M3L

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IS61QDP2B22M18A-333M3L

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IS61QDB42M18C-333M3LI

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