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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXCY01N90E
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IXCY01N90E

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXCY01N90E
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-252
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 Ohm @ 50mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    40W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    133pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    900V
  • Description détaillée
    N-Channel 900V 250mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    250mA (Tc)
IXCP40M35

IXCP40M35

La description: IC CURRENT REGULATOR TO220AB

Fabricant: IXYS Corporation
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IXCY100M35

IXCY100M35

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IXCY02M45A

IXCY02M45A

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IXCP50M35

IXCP50M35

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IXCP40M45

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IXCY10M35

IXCY10M35

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IXCY02M35

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IXCP50M35A

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IXCP60M45

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IXCP60M35

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IXCY10M35S

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IXCY02M45

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IXCP40M35A

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IXCY02M35A

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IXCY10M45

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IXCP50M45

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IXCP50M45A

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