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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - IGBT - Single > IXDH35N60BD1
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3650942IXDH35N60BD1 imageIXYS Corporation

IXDH35N60BD1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXDH35N60BD1
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    IGBT 600V 60A 250W TO247AD
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXDH35N60BD1.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    600V
  • Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 35A
  • Condition de test
    300V, 35A, 10 Ohm, 15V
  • Td (marche / arrêt) à 25 ° C
    -
  • énergie de commutation
    1.6mJ (on), 800µJ (off)
  • Package composant fournisseur
    TO-247AD (IXDH)
  • Séries
    -
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    40ns
  • Puissance - Max
    250W
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-3P-3 Full Pack
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    32 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Type d'entrée
    Standard
  • type de IGBT
    NPT
  • gate charge
    120nC
  • Description détaillée
    IGBT NPT 600V 60A 250W Through Hole TO-247AD (IXDH)
  • Courant - Collecteur pulsée (Icm)
    70A
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    60A
  • Numéro de pièce de base
    IXD*35N60

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Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IXDH35N60BD1".
IXDI409CI

IXDI409CI

La description: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE TO220-5

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI402SIA

IXDI402SIA

La description: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI404SIA

IXDI404SIA

La description: IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI402SI

IXDI402SI

La description: IC MOSFET DRIVER LS 2A 8SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDH20N120D1

IXDH20N120D1

La description: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDF604SIA

IXDF604SIA

La description: IC GATE DVR 4A DIFF 8-SOIC

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
IXDH35N60B

IXDH35N60B

La description: IGBT 600V 60A 250W TO247AD

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI404SI

IXDI404SI

La description: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 8-SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDF604SIATR

IXDF604SIATR

La description: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
IXDI402PI

IXDI402PI

La description: IC MOSFET DRVR DUAL 2A 8-DIP

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI409PI

IXDI409PI

La description: IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-DIP

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDF604SITR

IXDF604SITR

La description: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
IXDH20N120

IXDH20N120

La description: IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDF604SI

IXDF604SI

La description: IC GATE DVR 4A DUAL IN/NON 8SOIC

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
IXDH30N120D1

IXDH30N120D1

La description: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI404PI

IXDI404PI

La description: IC MOSFET DRIVER LS 4A DUAL 8DIP

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI409SI

IXDI409SI

La description: IC MOSFET DRVR LS 9A 8-SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDF604PI

IXDF604PI

La description: IC GATE DVR 4A DUAL HS 8DIP

Fabricant: IXYS Integrated Circuits Division
En stock
RFQ
IXDH30N120

IXDH30N120

La description: IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXDI404SI-16

IXDI404SI-16

La description: IC MOSFET DRVR LS 4A DUAL 16SOIC

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
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