IXFM42N20

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Spécifications

Modèle de produit

IXFM42N20
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MOSFET TO-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFM42N20.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-204AE
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 21A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Package / Boîte

TO-204AE
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

220nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 42A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

42A (Tc)

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IXFM10N90

La description: POWER MOSFET TO-3

Fabricant: IXYS Corporation

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