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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFM67N10
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2017686

IXFM67N10

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IXFM67N10
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    POWER MOSFET TO-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXFM67N10.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-204AE
  • Séries
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25 mOhm @ 33.5A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    300W (Tc)
  • Package / Boîte
    TO-204AE
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4500pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    100V
  • Description détaillée
    N-Channel 100V 67A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    67A (Tc)

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Expédition
Paiement
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IXFL82N60P

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IXFN100N20

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La description: POWER MOSFET TO-3

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La description: MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
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IXFM42N20

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La description: POWER MOSFET TO-3

Fabricant: IXYS Corporation
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IXFN100N10S2

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La description: MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
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RFQ
IXFM15N60

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La description: POWER MOSFET TO-3

Fabricant: IXYS Corporation
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RFQ
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