IXFN23N100

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Spécifications

Modèle de produit

IXFN23N100
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFN23N100.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-227B
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

-
Dissipation de puissance (max)

600W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 23A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

23A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXFN23N100".

IXFN210N20P

La description: MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation

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