Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN26N90
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
269950IXFN26N90 imageIXYS Corporation

IXFN26N90

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$34.16
10+
$31.598
30+
$29.036
100+
$26.986
250+
$24.766
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IXFN26N90
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 900V 26A SOT-227B
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXFN26N90.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 8mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    SOT-227B
  • Séries
    HiPerFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300 mOhm @ 13A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    600W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Chassis Mount
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    10800pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    240nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    900V
  • Description détaillée
    N-Channel 900V 26A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    26A (Tc)

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IXFN26N90".
IXFN27N80Q

IXFN27N80Q

La description: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN240N15T2

IXFN240N15T2

La description: MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN30N120P

IXFN30N120P

La description: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN30N110P

IXFN30N110P

La description: MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN23N100

IXFN23N100

La description: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN260N17T

IXFN260N17T

La description: MOSFET N-CH 170V 245A SOT-227

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN280N07

IXFN280N07

La description: MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN27N80

IXFN27N80

La description: MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN32N100P

IXFN32N100P

La description: MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN320N17T2

IXFN320N17T2

La description: MOSFET N-CH 170V 260A SOT227

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN24N90Q

IXFN24N90Q

La description: MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN280N085

IXFN280N085

La description: MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN240N25X3

IXFN240N25X3

La description: MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN25N90

IXFN25N90

La description: MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN24N100F

IXFN24N100F

La description: MOSFET N-CH 1000V 24A SOT227B

Fabricant: IXYS RF
En stock
RFQ
IXFN300N10P

IXFN300N10P

La description: MOSFET N-CH 100V 295A SOT-227

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN24N100

IXFN24N100

La description: MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN26N120P

IXFN26N120P

La description: MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN300N20X3

IXFN300N20X3

La description: 200V/300A ULTRA JUNCTION X3-CLAS

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXFN26N100P

IXFN26N100P

La description: MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.