IXFN66N85X

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Spécifications

Modèle de produit

IXFN66N85X
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFN66N85X.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-227B
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

65 mOhm @ 33A, 10V
Dissipation de puissance (max)

830W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

8900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

230nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

850V
Description détaillée

N-Channel 850V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

65A (Tc)

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livraison
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Nous prenons en charge plusieurs méthodes de paiement, y compris les cartes de crédit, les transports en fil et d'autres options, et acceptons la plupart des devises.Pour les commandes passées en USD, des options de paiement supplémentaires sont disponibles.Pour plus de détails sur les méthodes et procédures de paiement, veuillez contacter notre équipe de vente.

Ce qui suit est des produits liés à "IXFN66N85X".

IXFN80N48

La description: MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation

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