IXFN55N50F

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Spécifications

Modèle de produit

IXFN55N50F
Fabricant / marque

IXYS RF
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFN55N50F.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 8mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-227B
Séries

HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 27.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

600W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

6700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 55A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

55A (Tc)

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livraison
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IXFN55N50

La description: MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B

Fabricant: IXYS Corporation

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