IXFP4N100Q

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Spécifications

Modèle de produit

IXFP4N100Q
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFP4N100Q.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1.5mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

150W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1050pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 4A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

4A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFP4N100Q".

IXFP5N50P3

La description: MOSFET N-CH 500V 5A TO-220

Fabricant: IXYS Corporation

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