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IXFP5N100PM

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Spécifications

Modèle de produit

IXFP5N100PM
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 2.3A TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFP5N100PM.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

6V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220 Isolated Tab
Séries

HiPerFET™, PolarP2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

42W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1830pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

33.4nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 2.3A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2.3A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFP5N100PM".

IXFP4N100Q

La description: MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220

Fabricant: IXYS Corporation

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