IXFT150N17T2

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Spécifications

Modèle de produit

IXFT150N17T2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

IXFT150N17T2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-268
Séries

HiPerFET™, TrenchT2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max)

880W (Tc)
Package / Boîte

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14600pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

233nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

175V
Description détaillée

N-Channel 175V 150A (Tc) 880W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

150A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXFT150N17T2".

IXFT14N80P

La description: MOSFET N-CH 800V 14A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation

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