IXFT12N100F

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Spécifications

Modèle de produit

IXFT12N100F
Fabricant / marque

IXYS RF
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXFT12N100F.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-268 (IXFT)
Séries

HiPerRF™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05 Ohm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXFT12N100F".

IXFR90N30

La description: MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247

Fabricant: IXYS Corporation

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