IXTA1N100

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Spécifications

Modèle de produit

IXTA1N100
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTA1N100.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263 (IXTA)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 Ohm @ 1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

54W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.5A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTA1N100".

IXTA1R4N120P

La description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation

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