IXTA1N80

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Spécifications

Modèle de produit

IXTA1N80
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTA1N80.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-263 (IXTA)
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

40W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

220pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

750mA (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTA1N80".

IXTA180N10T

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-263

Fabricant: IXYS Corporation

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