IXTT2N170D2

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Spécifications

Modèle de produit

IXTT2N170D2
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTT2N170D2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-268
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 Ohm @ 1A, 0V
Dissipation de puissance (max)

568W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

3650pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

-
Tension drain-source (Vdss)

1700V
Description détaillée

N-Channel 1700V 2A (Tj) 568W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

2A (Tj)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXTT2N170D2".

IXTT170N10P

La description: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation

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