Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTT1N300P3HV
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2128111IXTT1N300P3HV imageIXYS Corporation

IXTT1N300P3HV

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$33.35
30+
$28.348
120+
$26.347
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IXTT1N300P3HV
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb par exemption / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXTT1N300P3HV.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-268
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 Ohm @ 500mA, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    195W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    24 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free by exemption / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    895pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    30.6nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    3000V
  • Description détaillée
    N-Channel 3000V 1A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount TO-268
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1A (Tc)

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

La Corée du Sud prévoit de promulguer la loi sur la puce ...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IXTT1N300P3HV".
IXTT20N50D

IXTT20N50D

La description: MOSFET N-CH 500V 20A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT30N50L

IXTT30N50L

La description: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT2N170D2

IXTT2N170D2

La description: MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16N10D2

IXTT16N10D2

La description: MOSFET N-CH 100V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16N50D2

IXTT16N50D2

La description: MOSFET N-CH 500V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT140P10T

IXTT140P10T

La description: MOSFET P-CH 100V 140A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT1N100

IXTT1N100

La description: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT26N60P

IXTT26N60P

La description: MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT1N450HV

IXTT1N450HV

La description: MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16P60P

IXTT16P60P

La description: MOSFET P-CH 600V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT30N50L2

IXTT30N50L2

La description: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16N20D2

IXTT16N20D2

La description: MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT16P20

IXTT16P20

La description: MOSFET P-CH 200V 16A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT1N250HV

IXTT1N250HV

La description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-268HV

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT24P20

IXTT24P20

La description: MOSFET P-CH 200V 24A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT170N10P

IXTT170N10P

La description: MOSFET N-CH 100V 170A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT2N300P3HV

IXTT2N300P3HV

La description: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT26N50P

IXTT26N50P

La description: MOSFET N-CH 500V 26A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

La description: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT20P50P

IXTT20P50P

La description: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.