Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTU01N100D
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
1955447IXTU01N100D imageIXYS Corporation

IXTU01N100D

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
75+
$1.385
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IXTU01N100D
  • Fabricant / marque
    IXYS / Littelfuse
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IXTU01N100D.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 25µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-251
  • Séries
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 Ohm @ 50mA, 0V
  • Dissipation de puissance (max)
    1.1W (Ta), 25W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    14 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    120pF @ 25V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    Depletion Mode
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    0V
  • Tension drain-source (Vdss)
    1000V
  • Description détaillée
    N-Channel 1000V 100mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    100mA (Tc)

AMD lance la construction de la deuxième phase du Bangalor...

2024/11/26

La carte graphique NVIDIA RTX 5090 a une zone GPU de 744 mm...

2024/11/25

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IXTU01N100D".
IXTT88N30P

IXTT88N30P

La description: MOSFET N-CH 300V 88A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU08N100P

IXTU08N100P

La description: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT8P50

IXTT8P50

La description: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT96N20P

IXTT96N20P

La description: MOSFET N-CH 200V 96A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU05N120

IXTU05N120

La description: MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU1R4N60P

IXTU1R4N60P

La description: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU06N120P

IXTU06N120P

La description: MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT75N20L2

IXTT75N20L2

La description: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU02N50D

IXTU02N50D

La description: MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU01N100

IXTU01N100

La description: MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT88N15

IXTT88N15

La description: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU44N10T

IXTU44N10T

La description: MOSFET N-CH 100V 44A TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT82N25P

IXTT82N25P

La description: MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT90P10P

IXTT90P10P

La description: MOSFET P-CH 100V 90A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT80N20L

IXTT80N20L

La description: MOSFET N-CH 200V 80A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU2N80P

IXTU2N80P

La description: MOSFET N-CH TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTT96N15P

IXTT96N15P

La description: MOSFET N-CH 150V 96A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU01N80

IXTU01N80

La description: MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU12N06T

IXTU12N06T

La description: MOSFET N-CH 60V 12A TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
IXTU05N100

IXTU05N100

La description: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251

Fabricant: IXYS Corporation
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.