IXTU01N80

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Spécifications

Modèle de produit

IXTU01N80
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IXTU01N80.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 25µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-251
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

25W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

60pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100mA (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IXTU01N80".

IXTT8P50

La description: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268

Fabricant: IXYS Corporation

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