IXYN75N65C3D1

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Spécifications

Modèle de produit

IXYN75N65C3D1
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT
État sans plomb / État RoHS
Livret des spécifications

IXYN75N65C3D1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A
Condition de test

400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

26ns/93ns
énergie de commutation

2mJ (on), 950µJ (off)
Package composant fournisseur

SOT-227B
Séries

XPT™, GenX3™
Temps de recouvrement inverse (trr)

65ns
Puissance - Max

600W
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

-
gate charge

122nC
Description détaillée

IGBT 650V 150A 600W Chassis Mount SOT-227B
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

360A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

150A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXYN75N65C3D1".

IXYN50N170CV1

La description: IGBT 1700V 120A SOT227B

Fabricant: IXYS Corporation

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