IXYP10N65C3D1

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Spécifications

Modèle de produit

IXYP10N65C3D1
Fabricant / marque

IXYS / Littelfuse
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 650V 30A 160W TO-220
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.IXYP10N65C3D1.pdf
2.IXYP10N65C3D1.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A
Condition de test

400V, 10A, 50 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

20ns/77ns
énergie de commutation

240µJ (on), 110µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-220
Séries

GenX3™, XPT™
Temps de recouvrement inverse (trr)

170ns
Puissance - Max

160W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

PT
gate charge

18nC
Description détaillée

IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

54A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

30A

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IXYP10N65C3D1".

IXYN50N170CV1

La description: IGBT 1700V 120A SOT227B

Fabricant: IXYS Corporation

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