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2853209BSC014N04LSIATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

BSC014N04LSIATMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BSC014N04LSIATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    BSC014N04LSIATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TDSON-8 FL
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.45 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.5W (Ta), 96W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    BSC014N04LSIATMA1TR
    SP000953212
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4000pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    55nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 31A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
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Expédition
Paiement
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Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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La description: DIFFERENTIATED MOSFETS

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BSC016N06NSTATMA1

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La description: DIFFERENTIATED MOSFETS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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La description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8

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La description: MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8

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La description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

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La description: MOSFET N-CH 40V 37A 8TDSON

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La description: DIFFERENTIATED MOSFETS

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La description: MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8

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