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BSC016N03LSGATMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    BSC016N03LSGATMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TDSON-8
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.6 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.5W (Ta), 125W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    8-PowerTDFN
  • Autres noms
    BSC016N03LS G
    BSC016N03LS G-ND
    BSC016N03LS GTR-ND
    BSC016N03LSG
    BSC016N03LSGATMA1TR
    Q3354123A
    SP000237663
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    10000pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    131nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    N-Channel 30V 32A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    32A (Ta), 100A (Tc)
BSC011N03LSTATMA1

BSC011N03LSTATMA1

La description: DIFFERENTIATED MOSFETS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC014N06NSTATMA1

BSC014N06NSTATMA1

La description: DIFFERENTIATED MOSFETS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC018N04LSGATMA1

BSC018N04LSGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC014NE2LSIATMA1

BSC014NE2LSIATMA1

La description: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC016N04LSGATMA1

BSC016N04LSGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1

La description: MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC014N04LSIATMA1

BSC014N04LSIATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC017N04NSGATMA1

BSC017N04NSGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC018NE2LSIATMA1

BSC018NE2LSIATMA1

La description: MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC016N06NSATMA1

BSC016N06NSATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1

La description: DIFFERENTIATED MOSFETS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC018NE2LSATMA1

BSC018NE2LSATMA1

La description: MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

La description: MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC016N06NSTATMA1

BSC016N06NSTATMA1

La description: DIFFERENTIATED MOSFETS

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC014N03MSGATMA1

BSC014N03MSGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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BSC014N06NSATMA1

BSC014N06NSATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 30A TDSON-8

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BSC014N03LSGATMA1

BSC014N03LSGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

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BSC019N04LSATMA1

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La description: MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON

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BSC014N04LSATMA1

BSC014N04LSATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 32A TDSON-8

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BSC016N03MSGATMA1

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La description: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

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