BSM35GD120DN2

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Spécifications

Modèle de produit

BSM35GD120DN2
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT BSM35GD120DN2BOSA1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSM35GD120DN2.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 35A
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Puissance - Max

280W
Package / Boîte

Module
Autres noms

BSM35GD120DN2BOSA1
SP000100371
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

2nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 50A 280W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur (Ic) (max)

50A
Configuration

Three Phase Inverter

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Ce qui suit est des produits liés à "BSM35GD120DN2".

BSM35GP120GBOSA1

La description: IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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