BSM50GAL120DN2HOSA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSM50GAL120DN2HOSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 2 MED POWER 34MM-1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Puissance - Max

400W
Package / Boîte

Module
Autres noms

BSM50GAL120DN2
SP000101727
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

-
Description détaillée

IGBT Module Single Switch 1200V 78A 400W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

78A
Configuration

Single Switch

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "BSM50GAL120DN2HOSA1".

BSM35GP120BOSA1

La description: IGBT MODULE 1200V 35A

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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