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BSM50GD120DN2G

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Spécifications

Modèle de produit

BSM50GD120DN2G
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSM50GD120DN2G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Puissance - Max

400W
Package / Boîte

Module
Autres noms

SP000100363
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

33nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

-
Description détaillée

IGBT Module Full Bridge 1200V 78A 400W Chassis Mount Module
Courant - Collecteur (Ic) (max)

78A
Configuration

Full Bridge

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "BSM50GD120DN2G".

BSM50GD60DLCBOSA1

La description: IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSM50GD120DN2G

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