International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP295L6327HTSA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSP295L6327HTSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSP295L6327HTSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 400µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-SOT223-4
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

300 mOhm @ 1.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

BSP295 L6327
BSP295 L6327-ND
BSP295L6327HTSA1TR
BSP295L6327INTR
BSP295L6327INTR-ND
BSP295L6327XT
SP000089210
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

368pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.8A (Ta)

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BSP295E6327T

La description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

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