International Rectifier (Infineon Technologies)

BSP297H6327XTSA1

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Spécifications

Modèle de produit

BSP297H6327XTSA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSP297H6327XTSA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 400µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-SOT223-4
Séries

SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8 Ohm @ 660mA, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

BSP297H6327XTSA1CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

357pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

16.1nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

660mA (Ta)

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BSP295H6327XTSA1

La description: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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