Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB029N06N3GATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
4705051IPB029N06N3GATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB029N06N3GATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$2.20
10+
$1.99
100+
$1.599
500+
$1.244
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB029N06N3GATMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 118µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.9 mOhm @ 100A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    188W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB029N06N3 GCT
    IPB029N06N3 GCT-ND
    IPB029N06N3GATMA1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    13000pF @ 30V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    120A (Tc)
IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB027N10N5ATMA1

IPB027N10N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 25A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB032N10N5ATMA1

IPB032N10N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB030N08N3GATMA1

IPB030N08N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB029N06N3GE8187ATMA1

IPB029N06N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB033N10N5LFATMA1

IPB033N10N5LFATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V D2PAK-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB025N10N3GATMA1

IPB025N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB035N08N3 G

IPB035N08N3 G

La description: MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3

Fabricant: Infineon Technologies
En stock
IPB027N10N3GATMA1

IPB027N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB034N06L3GATMA1

IPB034N06L3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB023N04NGATMA1

IPB023N04NGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB031N08N5ATMA1

IPB031N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB023N06N3GATMA1

IPB023N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB034N06N3GATMA1

IPB034N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB024N10N5ATMA1

IPB024N10N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB024N08N5ATMA1

IPB024N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB034N03LGATMA1

IPB034N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB031NE7N3GATMA1

IPB031NE7N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB025N10N3GE8187ATMA1

IPB025N10N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter