IPB024N10N5ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB024N10N5ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB024N10N5ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.8V @ 183µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-7
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 mOhm @ 90A, 10V
Dissipation de puissance (max)

250W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Autres noms

SP001482034
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

10200pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

138nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

6V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

180A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "IPB024N10N5ATMA1".

IPB029N06N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPB024N10N5ATMA1

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