Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB041N04NGATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
2458739IPB041N04NGATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB041N04NGATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB041N04NGATMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 45µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.1 mOhm @ 80A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    94W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB041N04N GCT
    IPB041N04N GCT-ND
    IPB041N04NG
    IPB041N04NGATMA1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4500pF @ 20V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    40V
  • Description détaillée
    N-Channel 40V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    80A (Tc)
IPB039N10N3GE8187ATMA1

IPB039N10N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB042N10N3GATMA1

IPB042N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB044N15N5ATMA1

IPB044N15N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 174A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB048N15N5LFATMA1

IPB048N15N5LFATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB042N03LGATMA1

IPB042N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB036N12N3GATMA1

IPB036N12N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB03N03LA

IPB03N03LA

La description: MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB049N06L3GATMA1

IPB049N06L3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB039N10N3GATMA1

IPB039N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB03N03LA G

IPB03N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB039N04LGATMA1

IPB039N04LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB03N03LB G

IPB03N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB037N06N3GATMA1

IPB037N06N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB049N08N5ATMA1

IPB049N08N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB049NE7N3GATMA1

IPB049NE7N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB042N10N3GE8187ATMA1

IPB042N10N3GE8187ATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB048N06LGATMA1

IPB048N06LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB038N12N3GATMA1

IPB038N12N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 120V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB048N15N5ATMA1

IPB048N15N5ATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB03N03LB

IPB03N03LB

La description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter