International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB048N06LGATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB048N06LGATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB048N06LGATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 270µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.4 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB048N06L G
IPB048N06L G-ND
IPB048N06LGATMA1TR
IPB048N06LGINTR
IPB048N06LGINTR-ND
IPB048N06LGXT
SP000204181
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7600pF @ 30V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

60V
Description détaillée

N-Channel 60V 100A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPB048N06LGATMA1".

IPB03N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 80A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPB048N06LGATMA1

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