International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB50R299CPATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB50R299CPATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 550V 12A TO-263
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB50R299CPATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 440µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO263-3-2
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

299 mOhm @ 6.6A, 10V
Dissipation de puissance (max)

104W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB50R299CP
IPB50R299CP-ND
IPB50R299CPATMA1TR
SP000236094
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

550V
Description détaillée

N-Channel 550V 12A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPB50R299CPATMA1".

IPB60R099C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPB50R299CPATMA1

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