Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPB60R080P7ATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
42738IPB60R080P7ATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R080P7ATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
1+
$6.39
10+
$5.708
100+
$4.68
500+
$3.79
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPB60R080P7ATMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH TO263-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 590µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    D²PAK (TO-263AB)
  • Séries
    CoolMOS™ P7
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 11.8A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    129W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Autres noms
    IPB60R080P7ATMA1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2180pF @ 400V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    51nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    37A (Tc)
IPB50R250CPATMA1

IPB50R250CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB50R299CPATMA1

IPB50R299CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 550V 12A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R125C6ATMA1

IPB60R125C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 600V 30A TO263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R060C7ATMA1

IPB60R060C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R099CPAATMA1

IPB60R099CPAATMA1

La description: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R099CPATMA1

IPB60R099CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R099C6ATMA1

IPB60R099C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R060P7ATMA1

IPB60R060P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R099P7ATMA1

IPB60R099P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R040C7ATMA1

IPB60R040C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 50A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R120P7ATMA1

IPB60R120P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB600N25N3GATMA1

IPB600N25N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB50R199CPATMA1

IPB50R199CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 550V 17A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB50R140CPATMA1

IPB50R140CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 550V 23A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R125CPATMA1

IPB60R125CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 600V 25A TO263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R160C6ATMA1

IPB60R160C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R099C7ATMA1

IPB60R099C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 22A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB50N12S3L15ATMA1

IPB50N12S3L15ATMA1

La description: MOSFET N-CHANNEL_100+

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
IPB530N15N3GATMA1

IPB530N15N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter