International Rectifier (Infineon Technologies)

IPB60R080P7ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPB60R080P7ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH TO263-3
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPB60R080P7ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 590µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

D²PAK (TO-263AB)
Séries

CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 11.8A, 10V
Dissipation de puissance (max)

129W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms

IPB60R080P7ATMA1CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2180pF @ 400V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

37A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPB60R080P7ATMA1".

IPB50R250CPATMA1

La description: MOSFET N-CH 550V 13A TO-263

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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