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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD068P03L3GATMA1
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3299910IPD068P03L3GATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD068P03L3GATMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD068P03L3GATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPD068P03L3GATMA1.pdf
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 150µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO252-3
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6.8 mOhm @ 70A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    100W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD068P03L3GATMA1CT
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    7720pF @ 15V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    91nC @ 10V
  • type de FET
    P-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    30V
  • Description détaillée
    P-Channel 30V 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    70A (Tc)

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Expédition
Paiement
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IPD075N03LGBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD053N06NATMA1

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La description: MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD060N03LGBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD082N10N3GBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD068N10N3GATMA1

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La description: MOSFET N-CH 100V 90A

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD075N03LGATMA1

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La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD053N06N3GBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD053N08N3GATMA1

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La description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

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IPD05N03LB G

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La description: MOSFET N-CH 30V 90A DPAK

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IPD06N03LA G

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La description: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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IPD05N03LA G

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La description: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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IPD060N03LGATMA1

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La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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IPD082N10N3GATMA1

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La description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD079N06L3GBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD088N06N3GBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD053N08N3GBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

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IPD068P03L3GBTMA1

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La description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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RFQ
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

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IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

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