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4300869IPD079N06L3GBTMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD079N06L3GBTMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD079N06L3GBTMA1
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Modèle ECAD
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.2V @ 34µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO252-3
  • Séries
    OptiMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.9 mOhm @ 50A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    79W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD079N06L3 G
    IPD079N06L3 G-ND
    IPD079N06L3 GTR-ND
    IPD079N06L3G
    IPD079N06L3GBTMA1TR
    SP000453626
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    4900pF @ 30V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    60V
  • Description détaillée
    N-Channel 60V 50A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    50A (Tc)
IPD088N04LGBTMA1

IPD088N04LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD060N03LGBTMA1

IPD060N03LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD060N03LGATMA1

IPD060N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD068N10N3GATMA1

IPD068N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 90A

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD082N10N3GATMA1

IPD082N10N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD068N10N3GBTMA1

IPD068N10N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD090N03LGBTMA1

IPD090N03LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD068P03L3GBTMA1

IPD068P03L3GBTMA1

La description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD096N08N3GBTMA1

IPD096N08N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD090N03LGATMA1

IPD090N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD06N03LB G

IPD06N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO-252

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IPD096N08N3GATMA1

IPD096N08N3GATMA1

La description: MOSFET N-CH 80V 73A

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IPD068P03L3GATMA1

IPD068P03L3GATMA1

La description: MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

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IPD09N03LB G

IPD09N03LB G

La description: MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

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IPD082N10N3GBTMA1

IPD082N10N3GBTMA1

La description: MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3

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IPD075N03LGBTMA1

IPD075N03LGBTMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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IPD075N03LGATMA1

IPD075N03LGATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3

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IPD06N03LA G

IPD06N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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IPD09N03LA G

IPD09N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

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IPD088N06N3GBTMA1

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La description: MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3

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