International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD09N03LB G

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Spécifications

Modèle de produit

IPD09N03LB G
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPD09N03LB G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 20µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO252-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.1 mOhm @ 50A, 10V
Dissipation de puissance (max)

58W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

IPD09N03LB G-ND
IPD09N03LBG
IPD09N03LBGXT
SP000016412
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

50A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPD09N03LB G".

IPD09N03LA G

La description: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

En stock

IPD09N03LB G

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