International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R3K0CEBTMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPD50R3K0CEBTMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPD50R3K0CEBTMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 30µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO252-3
Séries

CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 400mA, 13V
Dissipation de puissance (max)

18W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

IPD50R3K0CEBTMA1DKR
IPD50R3K0CEDKR
IPD50R3K0CEDKR-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

84pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4.3nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

13V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 1.7A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

1.7A (Tc)

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IPD50R280CEBTMA1

La description: MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD50R3K0CEBTMA1

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