International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD50R800CEATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPD50R800CEATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N CH 500V 5A TO252
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPD50R800CEATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 130µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO252-3
Séries

CoolMOS™ CE
Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 1.5A, 13V
Dissipation de puissance (max)

60W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

IPD50R800CEATMA1-ND
IPD50R800CEATMA1TR
SP001117710
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

280pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

12.4nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

13V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5A (Tc)

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IPD50R650CEBTMA1

La description: MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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IPD50R800CEATMA1

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