International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R600E6ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPD65R600E6ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPD65R600E6ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 210µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO252-3
Séries

CoolMOS™ E6
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipation de puissance (max)

63W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

SP001117096
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

7.3A (Tc)

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IPD65R380E6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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