Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD65R600E6ATMA1
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
3859541IPD65R600E6ATMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R600E6ATMA1

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
2500+
$0.715
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD65R600E6ATMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPD65R600E6ATMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 210µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    PG-TO252-3
  • Séries
    CoolMOS™ E6
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 2.1A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    63W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    SP001117096
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    440pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    23nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    650V
  • Description détaillée
    N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    7.3A (Tc)

Infineon Introduces Biometric Fingerprint Sensors for Autom...

2024/10/24

Infineon Unveils EZ-USB FX20: A High-Bandwidth USB Peripher...

2024/10/10
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "IPD65R600E6ATMA1".
IPD65R380E6BTMA1

IPD65R380E6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R420CFDAATMA1

IPD65R420CFDAATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R660CFDATMA1

IPD65R660CFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R660CFDBTMA1

IPD65R660CFDBTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 6A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R420CFDATMA1

IPD65R420CFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R380C6ATMA1

IPD65R380C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R600E6BTMA1

IPD65R600E6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R950C6ATMA1

IPD65R950C6ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1

La description: MOSFET N-CH 650V TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R600C6BTMA1

IPD65R600C6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R650CEATMA1

IPD65R650CEATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R950CFDBTMA1

IPD65R950CFDBTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R950CFDATMA1

IPD65R950CFDATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 3.9A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R650CEAUMA1

IPD65R650CEAUMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 7A TO-252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R380C6BTMA1

IPD65R380C6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R380E6ATMA1

IPD65R380E6ATMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R660CFDAATMA1

IPD65R660CFDAATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD70N03S4L04ATMA1

IPD70N03S4L04ATMA1

La description: MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R600C6ATMA1

IPD65R600C6ATMA1

La description: LOW POWER_LEGACY

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD65R420CFDBTMA1

IPD65R420CFDBTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.