International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD65R660CFDAATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPD65R660CFDAATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH TO252-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPD65R660CFDAATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 214.55µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO252-3
Séries

Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

660 mOhm @ 3.22A, 10V
Dissipation de puissance (max)

62.5W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

SP000928260
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

543pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 6A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

6A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPD65R660CFDAATMA1".

IPD65R600C6BTMA1

La description: MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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