International Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R600P7ATMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPD80R600P7ATMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPD80R600P7ATMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 170µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO252-3
Séries

CoolMOS™ P7
Rds On (Max) @ Id, Vgs

600 mOhm @ 3.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)

60W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms

IPD80R600P7ATMA1CT
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 500V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

800V
Description détaillée

N-Channel 800V 8A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

8A (Tc)

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IPD80R2K4P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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