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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IPD80R2K8CEBTMA1
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5989218IPD80R2K8CEBTMA1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IPD80R2K8CEBTMA1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IPD80R2K8CEBTMA1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    IPD80R2K8CEBTMA1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.9V @ 120µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-252-3
  • Séries
    CoolMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.1A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    42W (Tc)
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Autres noms
    IPD80R2K8CEBTMA1TR
    SP001100602
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    290pF @ 100V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    800V
  • Description détaillée
    N-Channel 800V 1.9A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
    1.9A (Tc)

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Expédition
Paiement
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IPD90N03S4L02ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD80R750P7ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD80R4K5P7ATMA1

IPD80R4K5P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 1.5A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
En stock
RFQ
IPD80R3K3P7ATMA1

IPD80R3K3P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R360P7ATMA1

IPD80R360P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R900P7ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R1K4CEATMA1

IPD80R1K4CEATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R280P7ATMA1

IPD80R280P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 17A TO252

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R1K2P7ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD85P04P407ATMA1

IPD85P04P407ATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R1K0CEBTMA1

IPD80R1K0CEBTMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

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IPD80R1K4P7ATMA1

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La description: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

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RFQ
IPD80R450P7ATMA1

IPD80R450P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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IPD85P04P4L06ATMA1

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La description: MOSFET N-CH TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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RFQ
IPD80R2K4P7ATMA1

IPD80R2K4P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

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RFQ
IPD80R1K4CEBTMA1

IPD80R1K4CEBTMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

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RFQ
IPD80R2K7C3AATMA1

IPD80R2K7C3AATMA1

La description: MOSFET N-CH TO252-3

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RFQ
IPD80R2K8CEATMA1

IPD80R2K8CEATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

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RFQ
IPD80R600P7ATMA1

IPD80R600P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3

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RFQ
IPD80R2K0P7ATMA1

IPD80R2K0P7ATMA1

La description: MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)
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