International Rectifier (Infineon Technologies)

IPS12CN10LGBKMA1

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Spécifications

Modèle de produit

IPS12CN10LGBKMA1
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IPS12CN10LGBKMA1.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 83µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

PG-TO251-3
Séries

OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.8 mOhm @ 69A, 10V
Dissipation de puissance (max)

125W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-251-3 Stub Leads, IPak
Autres noms

IPS12CN10L G
IPS12CN10L G-ND
SP000311530
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5600pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 69A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

69A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IPS12CN10LGBKMA1".

IPS15C-SO-G-LF-TR

La description: POE PSE CONTROLLER

Fabricant: Microsemi

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