International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6608

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6608
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF6608.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ ST
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 13A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.1W (Ta), 42W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric ST
Autres noms

*IRF6608
IRF6608CT
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

2120pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

13A (Ta), 55A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "IRF6608".

IRF644STRLPBF

La description: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK

Fabricant: Electro-Films (EFI) / Vishay

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IRF6608

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