International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6619

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6619
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

IRF6619.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ MX
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric MX
Autres noms

IRF6619TR
SP001526848
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

3 (168 Hours)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5040pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

20V
Description détaillée

N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

30A (Ta), 150A (Tc)

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IRF6618TRPBF

La description: MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET

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