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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IRF6619TR1
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6462985IRF6619TR1 imageInternational Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6619TR1

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Spécifications
  • Modèle de produit
    IRF6619TR1
  • Fabricant / marque
    Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    IRF6619TR1.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.45V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    DIRECTFET™ MX
  • Séries
    HEXFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    DirectFET™ Isometric MX
  • Autres noms
    IRF6619TR1CT
  • Température de fonctionnement
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    5040pF @ 10V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    57nC @ 4.5V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    4.5V, 10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    20V
  • Description détaillée
    N-Channel 20V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
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Expédition
Paiement
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IRF6621TR1

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