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International Rectifier (Infineon Technologies)

IRF6678TRPBF

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Spécifications

Modèle de produit

IRF6678TRPBF
Fabricant / marque

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

IRF6678TRPBF.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.25V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DIRECTFET™ MX
Séries

HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage

Original-Reel®
Package / Boîte

DirectFET™ Isometric MX
Autres noms

IRF6678TRPBFDKR
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5640pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 30A (Ta), 150A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

30A (Ta), 150A (Tc)

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